电脑内存工序

电脑内存工序怎么看

假内存多是用劣质货冒充名牌产品。由于合格的内存芯片生产先将硅晶片切割成小的晶片，并进行简单的EDS测试，完成芯片的大部分功能测试，这是前工序；接着对晶片做I／O（输入／输出）设置和保护，这是后工序；最后对整个芯片做全面的检测，这是检验工序。萊垍頭條

由于检验工序耗时最长，费用也较高。頭條萊垍

一些大厂商只做前工序后即将初级产品卖给别的半导体厂家做后工序，做完后半导体厂家并不进行检验工序，也不打任何标识就出售给一些内存条生产商。垍頭條萊

一些不法内存条生产商购得内存芯片在手工作坊里制造内存条，并标上某些著名的商标出售。萊垍頭條

假内存的PCB板质量差，做工粗糙。 一、假内存可能有以下特征 1.芯片封装是否破损。萊垍頭條

2.电路板造工粗糙，有毛刺和裂痕。萊垍頭條

3.用开机方法测试假冒或坏SPD，在BIOS中把“SDRAM Control By”设成“BY SPD”。垍頭條萊

4.在BIOS中把内存的ECC校验打开，开机测试ECC奇偶样验内存的真假。萊垍頭條

5.用药水清洗芯片变白，字迹粗糙。萊垍頭條

6. 打磨芯片有刮痕且方向一致，真内存的标识字符通常较暗。 二、假内存的种类 1.以次充好：JS将一些坏掉可利用的内存条经过屏蔽，其中一部分内存颗粒还可以正常工作，于是经过改造又拿到市场出售。萊垍頭條

2.超频：通常以低品质内存冒充高品质内存，比如将PC100的内存强制在133MHZ下工作，它是整机中一的个不稳定隐患。頭條萊垍

3.混淆视听：JS以内存芯片颗粒的编号欺骗消费者。頭條萊垍

4.打磨：不法JS将一些杂牌的内存颗粒经过打磨，擦除掉上面的内存颗粒信息，在刷上高档名牌内存颗粒的标志进行兜售。萊垍頭條

5.洋垃圾废物再利用：JS将国外送来的洋垃圾内存中，将仅存的好颗粒都拿下来，重新印刷PCB组装生产新的内存。 三、分辩内存A条和B条 内存的A条B条，指HY的内存。A条指正货，正货的HY有两种，一种是HY原厂条，芯片、底板都是HY原厂的，另一种是HY的兼容条，它芯片是HY 的，底板不是HY原厂的。萊垍頭條

所谓的B条就是指打磨条，打磨条是将不是HY的芯片打上HY的牌子而销售的假内存条，B条有的是在没有刻品牌内存芯片（白板条）用激光打上HY的牌子，有的是一些无名小厂把自己的内存芯片打上HY的牌子，再做成的假现代内存条来卖。萊垍頭條

分辩HY的真假,主要是看芯片右下角的编号,真正的HY编号是采用阴阳雕刻.一般都不太明显,字体比较细,要把芯片斜对光线才可以看清.而打磨的芯片编号一般很清楚,字体较大,十分明显.也可用天那水刷一下芯片,真的HY的内存一刷后,字体就很快显示出来了,B条一般要很久. 四、真假Hynix内存芯片 真Hynix内存芯片真芯片左下角有一个圆形凹槽，右下角也有一排稍暗的印字，这些特征假芯片都没有。垍頭條萊

在外观上真内存条上贴的是原厂标签，而假的是普通贴纸；真的Hynix内存芯片在整条电路上的排列是无间隙排列，假的则有明显间隔；真的Hynix内存芯片从背面可以看到圆形凹槽，假的Hynix内存芯片背面则是三个呈直线排列的圆形标记。 五、真假金邦金条内存 真金邦金条用的BLP封装，用六层PCB板。條萊垍頭

假货字迹较模糊，特别是那个金字，电路板质量差，芯片上的编号和品名好像有打磨过的痕迹.字是印上去的,缺少激光蚀刻那种质感。萊垍頭條

那块SPD颗粒上也是字迹模糊，电路板的颜色较暗。 六、真假KingMax内存 KingMax内存采用的是先进的TinyBGA封装技术，从表面上应该是看不到芯片引脚的，假的KingMax内存采用的是传统TSOP封装，所以可以清楚的看到从芯片中延伸出的引脚，而且KingMax以前所出的TSOP封装内存并未在芯片上打上KingMax标识，所以在购买时一定要认清内存芯片是否采用的是Tiny 條萊垍頭

怎么知道电脑内存条

在手机设置--应用程序管理--正在运行頭條萊垍

即可查看。條萊垍頭

"运存":并不是一个专业术语，是计算机设备"内存"的俗称，常指移动终端如手机、平板的内存，意即用于程序运行的存储空间。垍頭條萊

因消费者喜欢将"内置存储空间"和"内部存储器"均简称为内存，所以常常对两者发生混淆，因此业界专业人士为了避免误会，创造了一个新词--"运存"，来表示"内部存储器"，与"内置存储空间"进行区分。垍頭條萊

计算机术语中，RAM属于随机存储器，也叫内部存储器，简称内存，手机等移动终端与个人电脑一样，也属于计算机，对于内存，叫法和概念应该是一致的，均属于RAM。萊垍頭條

而"内置存储空间(ROM)"狭义上是单指内置在手机、平板等移动终端的存储空间，用于存储文档或各种多媒体等文件，常常采用以内置的SD卡、MMC卡为主的闪存介质。垍頭條萊

如何知道电脑的内存

ipad可以在设置里面查看内存，打开ipad，点击设置，进入设置页面，点击通用，点击关于本机，在总容量后面就可以查看内存了。萊垍頭條

1.点击通用萊垍頭條

打开ipad，点击设置，点击通用。萊垍頭條

2.点击关于本机條萊垍頭

页面右边弹出选项，点击关于本机。萊垍頭條

3.查看内存萊垍頭條

进入关于本机页面，在总容量后面就可以查看内存了。萊垍頭條

电脑内存怎么知道

步骤如下：萊垍頭條

1、右击“计算机”，单击属性；頭條萊垍

2、属性面板中就可以看到电脑的内存信息了；萊垍頭條

3. 单击属性面板左侧的“设备管理器”。萊垍頭條

4. 在设备管理器中就可以单击CPU、内存和显卡适配器，就可以查看具体的信息了。 萊垍頭條

电脑的内存咋看

你打开电脑的Windows系统的桌面。用鼠标右键，点击我的电脑。

然后他会出来一个属性。再点击一下属性。

然后你从属性这个界面里边就会看到Windows系统版本，以及内存的容量。这个不是太难，你按照我的方法去做，就能看到了。希望上面的回答能够帮到你。

怎样看电脑的内存及处理器

谢邀。缓存的工作原理是当CPU要读取一个数据时，首先从缓存中查找，如果找到就立即读取并送给CPU处理；如果没有找到，就用相对慢的速度从内存中读取并送给CPU处理，同时把这个数据所在的数据块调入缓存中，可以使得以后对整块数据的读取都从缓存中进行，不必再调用内存。萊垍頭條

正是这样的读取机制使CPU读取缓存的命中率非常高（大多数CPU可达90%左右），也就是说CPU下一次要读取的数据90%都在缓存中，只有大约10%需要从内存读取。垍頭條萊

这大大节省了CPU直接读取内存的时间，也使CPU读取数据时基本无需等待。萊垍頭條

总的来说，CPU读取数据的顺序是先缓存后内存。萊垍頭條

一级最重要，但是现在CPU的一级缓存几乎都一样，所以忽略。二级缓存 纵观英特尔处理器的发展，且不论核心架构如何改变，以级数增长的二级缓存是最直观的。萊垍頭條

奔腾4时代0.18微米工艺的Willamette拥有256K二级缓存，0.13微米的Northwood核心拥有512K，后期0.09微米的Prescott一度增大到1M。萊垍頭條

到了酷睿时代，在架构发生了翻天覆地的变化的同时，65纳米工艺让二级缓存再次翻倍，即便是刚推出时低端酷睿的代表Allendale核心，二级缓存也达到了2M，高端酷睿更是拥有4M的二级缓存。萊垍頭條

进入45nm工艺后，二级缓存的容量进一步加大，高端E8X00系列二级缓存达到了惊人的6M，低端E7X00也达到了3M之多，至此Intel从512K到6M甚至12M实现了二级缓存的“无缝衔接”。[三级缓存是为读取二级缓存后未命中的数据设计的—种缓存，在拥有三级缓存的CPU中，只有约5%的数据需要从内存中调用，这进一步提高了CPU的效率。cpu的二级缓存和三级缓存的大小，并不是衡量cpu的性能的唯一标准，还得看cpu的主频，制程，比如说45纳米的就比65纳米的好，还要稍微注意一下它支持的指令集，还得看是谁的产品，二级缓存对于intel的产品来说很重要但二级缓存对于AMD来说就不像intel那么重要，因为AMD除了有二级缓存之外还有三级缓存。 要说主频、二级缓存和三级缓存哪个更重要，这个问题完全还要看你使用电脑追求什么了，主要执行什么任务。萊垍頭條

主频高运算速度快，二级缓存（L2）和三级缓存（L3）起到内存和CPU之间的缓冲作用，缓解内存和CPU速度不匹配问题起到提高CPU执行效率。垍頭條萊

所以大L2、L3在CPU长时间大量数据处理的时候效率会比较高。萊垍頭條

高主频在短时间内少量数据的处理上会比较快，其实3项这都很重要 ，哪一项达不到一定标准都会出现瓶颈效应。頭條萊垍

电脑处理内存怎么看

文件如果在回收站算是没有真正删掉而且还占用硬盘空间，但一旦从回收站删除就真正删除了不会占硬盘空间了，但这些文件可以通过数据恢复软件进行恢复，萊垍頭條

打个比方吧，文件在磁盘上的存储就像是一个链表，表头是文件的起始地址，整个文件并不一定是连续的，而是一个节点一个节点的连接起来的。要访问某个文件时，只要找到表头就行了。删除文件时，其实只是把表头删除了，后面的数据并没有删除，直到下一次进行写磁盘操作需要占用节点所在位置时，才会把相应的数据覆盖掉。数据恢复软件正是利用了这一点。所以，就算你误删了文件之后又进行了其他写磁盘操作，只要没有覆盖掉那些数据，都是可以恢复的萊垍頭條

电脑怎么查看内存时序

一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。萊垍頭條

在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：頭條萊垍

一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置垍頭條萊

首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：頭條萊垍

Command Per Clock(CPC)萊垍頭條

可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。萊垍頭條

Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。萊垍頭條

显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。頭條萊垍

该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。萊垍頭條

CAS Latency Control(tCL)條萊垍頭

可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。萊垍頭條

一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。萊垍頭條

CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。垍頭條萊

内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。萊垍頭條

这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。萊垍頭條

该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。垍頭條萊

RAS# to CAS# Delay(tRCD)萊垍頭條

可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。萊垍頭條

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。萊垍頭條

如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。條萊垍頭

Min RAS# Active Timing(tRAS)頭條萊垍

可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。萊垍頭條

该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。萊垍頭條

如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。萊垍頭條

如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。垍頭條萊

Row Precharge Timing(tRP)垍頭條萊

可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。萊垍頭條

该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。萊垍頭條

tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。萊垍頭條

如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。頭條萊垍

Row Cycle Time(tRC)萊垍頭條

可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。條萊垍頭

Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。萊垍頭條

其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。萊垍頭條

在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。條萊垍頭

Row Refresh Cycle Time(tRFC)萊垍頭條

可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。萊垍頭條

Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。頭條萊垍

如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。條萊垍頭

Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)萊垍頭條

可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。萊垍頭條

Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。頭條萊垍

延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。頭條萊垍

如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。條萊垍頭

Write Recovery Time(tWR)萊垍頭條

可选的设置：Auto，2，3。萊垍頭條

Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。萊垍頭條

如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。萊垍頭條

Write to Read Delay(tWTR)萊垍頭條

可选的设置：Auto，1，2。萊垍頭條

Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。萊垍頭條

tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1；如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。萊垍頭條

Refresh Period(tREF)頭條萊垍

可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。萊垍頭條

Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。萊垍頭條

先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。萊垍頭條

1552= 100mhz　　2064= 133mhz　　2592= 166mhz　　3120= 200mhz　　---------------------頭條萊垍

3632= 100mhz　　4128= 133mhz頭條萊垍

4672= 166mhz萊垍頭條

0064= 200mhz萊垍頭條

---------------------萊垍頭條

0776= 100mhz　　1032= 133mhz　　1296= 166mhz　　1560= 200mhz萊垍頭條

---------------------萊垍頭條

1816= 100mhz　　2064= 133mhz　　2336= 166mhz　　0032= 200mhz　　---------------------萊垍頭條

0388= 100mhz(15.6us)萊垍頭條

0516= 133mhz(15.6us)垍頭條萊

0648= 166mhz(15.6us)萊垍頭條

0780= 200mhz(15.6us)萊垍頭條

---------------------萊垍頭條

0908= 100mhz(7.8us)萊垍頭條

1032= 133mhz(7.8us)頭條萊垍

1168= 166mhz(7.8us)萊垍頭條

0016= 200mhz(7.8us)萊垍頭條

---------------------萊垍頭條

1536= 100mhz(3.9us)頭條萊垍

2048= 133mhz(3.9us)萊垍頭條

2560= 166mhz(3.9us)萊垍頭條

3072= 200mhz(3.9us)萊垍頭條

---------------------萊垍頭條

3684= 100mhz(1.95us)頭條萊垍

4196= 133mhz(1.95us)萊垍頭條

4708= 166mhz(1.95us)萊垍頭條

0128= 200mhz(1.95us)條萊垍頭

如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存（即单颗容量为32MB的内存）。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。頭條萊垍

另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。萊垍頭條

电脑内存代码怎么看

以win10系统为例，操作步骤如下：萊垍頭條

1、选中桌面上的“此电脑”→右键→属性。條萊垍頭

2、查看完毕后，选择左边的“设备管理器”。垍頭條萊

3、选择设备管理器界面中的“处理器”和“显示适配器”可以看到更详细的CPU信息和显卡信息.4、选中计算机→右键→“管理”→在打开的界面左侧选择“磁盘管理”，就可以查看各个磁盘容量大小及分配情况 頭條萊垍